MOS管損壞之謎，看完后疑惑終于解開了！

第一種：雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定V_DSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V_(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路：

第二種：器件發(fā)熱損壞

由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。

直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱

• 導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，導(dǎo)致一定電流下，功耗增加）

• 由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）

• 瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖

• 負(fù)載短路

• 開關(guān)損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）

• 內(nèi)置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）

器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過電流，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。

第三種：內(nèi)置二極管破壞

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。

第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生。在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動電壓V_gs(in)的振動電壓。由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時(shí)的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。

第五種：柵極電涌、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞。

有些大功率逆變器MOS管會安裝通風(fēng)紙來散熱，但安裝很麻煩。所以MOS管對散熱的要求很高，散熱條件分為最低和最高，即在運(yùn)行中的散熱情況的上下浮動范圍。一般在選購的時(shí)候通常采用最差的散熱條件為標(biāo)準(zhǔn)，這樣在使用的時(shí)候就可以留出最大的安全余量，即使在高溫中也能確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

北京思眾電子科技有限公司全面負(fù)責(zé)集團(tuán)集成電路事業(yè)部中國大陸的技術(shù)支持與銷售服務(wù)工作，2017年和2020年被評定為國家高 新技術(shù)企業(yè)。自主品牌AT“艾吉芯””艾吉克“，現(xiàn)以中低功率MOS管、貼片鋁電解電容等各領(lǐng)域整體解決方案的研發(fā)與銷售服務(wù)為核心業(yè)務(wù)。集團(tuán)在上海建立了半導(dǎo)體分立器件芯片研發(fā)中心，與臺灣無疆科技有限公司建立了MCU芯片研發(fā)銷售戰(zhàn)略合作關(guān)系，在湖南長沙建立了電源模塊研發(fā)團(tuán)隊(duì)、規(guī)劃建立5G模塊、毫米波雷達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。